Samsung Electronics presenta nueva tecnología de memoria para IA de última generación

Samsung Electronics presentó el martes una nueva generación ⁠de tecnología de memoria para inteligencia artificial, con ⁠el objetivo de reforzar su liderazgo en la fabricación de chips en el pujante mercado de la IA.

El mayor fabricante mundial de chips de memoria eligió la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) de este año, celebrada en Santa Clara (California), para presentar su prototipo V10 Bonding V-NAND, o BV-NAND. El chip cuenta con más de 400 capas y una nueva arquitectura de unión de obleas para aumentar la densidad de almacenamiento y potenciar el rendimiento.

A medida que las cargas de trabajo de IA se han ampliado más allá del entrenamiento de grandes modelos de lenguaje hasta abarcar el proceso de generación de respuestas a las consultas de los usuarios, ha aumentado la demanda de memoria NAND de alta capacidad. La memoria flash NAND se utiliza para almacenar datos como fotos, videos y aplicaciones en dispositivos como los smartphones.

La empresa afirmó que su tecnología BV-NAND aumenta la densidad de memoria en aproximadamente un 58% con respecto a su anterior V9 NAND, al tiempo que mejora el rendimiento de lectura, escritura y entrada/salida para satisfacer la creciente demanda de los sistemas de IA que requieren un almacenamiento de mayor capacidad y más eficiente energéticamente.

Samsung también presentó modelos conceptuales de lo que describió como las primeras arquitecturas zHBM y zNAND-O del sector, esbozando su visión de la memoria 3D de próxima generación, que apila las celdas de memoria verticalmente para almacenar más datos.

A diferencia de la memoria convencional de gran ancho de banda, que se coloca junto a los procesadores de IA, la zHBM de Samsung apila la memoria verticalmente sobre los aceleradores de IA para reducir la ⁠distancia que recorren los datos, lo que aumenta el ancho de banda ⁠al tiempo que mejora la eficiencia energética.

Samsung afirmó que ⁠su tecnología de unión de obleas podría permitir una densidad de memoria más de diez veces superior a la de la memoria ⁠HBM5 convencional, al tiempo que triplicaría la eficiencia energética y reduciría la resistencia térmica en más de la mitad.

Aunque algunos inversionistas han expresado su preocupación por la demanda a largo plazo de chips de memoria una vez que se debilite la demanda china de smartphones, los analistas han señalado una demanda de IA excepcionalmente fuerte.

La solidez de la demanda de IA quedó patente con la revelación de Samsung la semana pasada de que los acuerdos a largo plazo con los clientes podrían llegar a representar entre el 60% y el 70% de sus ventas de memoria.

Los analistas de Citi señalaron en una ⁠nota el mes pasado que las existencias en las cadenas de suministro tanto de DRAM como de NAND se mantenían muy por debajo de los niveles históricos, a pesar de las preocupaciones por el debilitamiento de la demanda en los mercados finales.